长江存储在面对美国出口约束和被列入实体清单的两层压力下，已成功选用国产半导体设备代替部分美系设备。

  长江存储自研Xtacking架构可让3D NAND的层数堆叠到232层，即便与美光、三星和SK海力士等闻名制作商比较，也具有极强的竞赛优势。

  据悉，长江存储现已运用中微半导体设备公司的蚀刻设备、北方华创的堆积与蚀刻设备，以及拓荆科技的堆积设备，成功制作出3D NAND闪存芯片。

  TechInsights称，尽管长江存储仍继续依靠ASML和泛林集团等外国供货商供给要害东西，但我国国产半导体设备供货商渐渐的变多地承当了出产流程的大部分。

  不过长江存储运用国产设备出产的最新NAND芯片在堆叠层数上做了相应的退让，比前期产品少了约70层，且产值较低。

  对此长江存储在回应中表明，公司正在一直在优化产品功能，层数改变与设备产值无关，跟着制作工艺、流程及经历的不断老练，会继续不断的添加堆叠层数。